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三星宣布完成5纳米EUV工艺研发,将向客户提供样品

原文链接 2019-04-16
据国外媒体报道称,世界领先的半导体技术公司三星电子公司今天宣布,其5纳米FinFET工艺技术已经完成开发,现已准备好向客户提供样品,三星也通过这一点再次证明了其在尖端制造市场的领导地位。

与7纳米工艺相比,三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提高。同时由于工艺改进,其功耗降低了20%、性能提高了10%,从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。

从7纳米到跨越到5纳米工艺,除了在功率性能区域(PPA)的数据提高之外,客户还可以充分利用三星高度复杂的EUV技术(ExtremeUltraviolet Lithography,极紫外光刻,常称作EUV光刻),有助于产品接近性能极限。

5纳米工艺的另一个主要优点是,我们可以将所有7纳米的相关知识产权重用到5纳米工艺上。因此,7纳米客户向5纳米过渡将得以大幅降低迁移成本、拥有预先经过验证的设计生态系统,从而大幅缩短其5纳米产品的开发周期。

由于三星铸造(Samsung Foundry)与其“三星高级铸造生态系统”(SamsungAdvanced Foundry Ecosystem)合作伙伴之间的密切合作,自2018年第四季度以来,三星5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施,包括工艺设计工具、设计方法、电子设计自动化工具和IP。此外,三星铸造已经开始向客户提供5纳米多项目晶片服务。